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许多针对基本物理学的实验，重电的离子（HCI），请参见例如。[1-4]，在使用不同的电离机械性的离子源中产生的 [1-4]，例如电子撞击电离，例如电子束离子陷阱（EBIT）[5]。在EBIT中，产生了电荷状态的分布，其中通常只需要单个电荷状态。为了分离感兴趣的电荷状态并去除不需要物种的背景，可以采用不同的电荷与质量比率选择性技术，例如Wien-type速度过滤器，扇形磁铁或飞行时间（TOF）分离[6]。在这里，使用Wien-type ve-locity滤波器[7]（取决于光圈），分辨率为20-200，对于扇形磁铁[8]。对于此处报道的单通路TOF分离，可以解决约100左右的解决能力。在我们的特定设置中，一种紧凑的室温EBIT [9，10]用于生产HCI，将其提取并运输到用于高精度质谱的PENNING-TRAP设置[11]。在笔陷阱中，仅存储一个HCI，需要降低背景和选择单电荷状态。从EBIT提取时，一堆离子会通过静电量加速。这会导致离子的速度略有不同，具体取决于其电荷状态v〜√ Q（假设质量相同）。较高电荷状态中的离子在梁线上的传播速度比低电荷状态下的离子稍快，因此到达检测器平面。育[1-4]，例如电子撞击电离，例如电子束离子陷阱（EBIT）[5]。在EBIT中，产生了电荷状态的分布，其中通常只需要单个电荷状态。为了分离感兴趣的电荷状态并去除不需要物种的背景，可以采用不同的电荷与质量比率选择性技术，例如Wien-type速度过滤器，扇形磁铁或飞行时间（TOF）分离[6]。在这里，使用Wien-type ve-locity滤波器[7]（取决于光圈），分辨率为20-200，对于扇形磁铁[8]。对于此处报道的单通路TOF分离，可以解决约100左右的解决能力。在我们的特定设置中，一种紧凑的室温EBIT [9，10]用于生产HCI，将其提取并运输到用于高精度质谱的PENNING-TRAP设置[11]。在笔陷阱中，仅存储一个HCI，需要降低背景和选择单电荷状态。从EBIT提取时，一堆离子会通过静电量加速。这会导致离子的速度略有不同，具体取决于其电荷状态v〜√ Q（假设质量相同）。较高电荷状态中的离子在梁线上的传播速度比低电荷状态下的离子稍快，因此到达检测器平面。育现在可以通过偏转所有其他物种（例如通过将电压施加到某些电极并将其切换到地面，仅在电荷状态通过电极时的短时间窗口。使用Bradbury-Nielsen Gate（BNG）[6，12-14]与快速开关电路相结合以解决单个电荷状态，从而实验实现了这个概念。如今，高压的快速有效切换在电力电子中使用，例如电源和电动车辆的电子设备。

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